產(chǎn)品資料
日本napson半自動4探針薄層電阻測試儀
產(chǎn)品名稱: 日本napson半自動4探針薄層電阻測試儀
產(chǎn)品型號: Cresbox
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson半自動4探針薄層電阻測試儀測量模式可編程和圓形/方形測量兼容的繪圖軟件自檢功能，測量范圍廣厚度/周邊位置/溫度補(bǔ)償功能（硅）薄層電阻/金屬膜厚顯示功能
日本napson半自動4探針薄層電阻測試儀 的詳細(xì)介紹
日本napson半自動4探針薄層電阻測試儀
測量規(guī)格
測量目標(biāo)
- 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
- 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
- 其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
測量規(guī)格
測量目標(biāo)
- 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
- 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
- 其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
測量規(guī)格
測量目標(biāo)
- 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
- 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
- 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
- 其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
日本napson半自動4探針薄層電阻測試儀
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地址：深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
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